Forrás: Phone Arena; Írta: BZI | 2015. 03. 09. 06:02:00
Szokatlanul szerényen fogalmaz a koreai óriás a Galaxy S6-os új memóriájáról. Azt írják: „az új UFS 2.0 flash memória még jobb teljesítményt és fokozottabb memóriasebességet tesz lehetővé alacsonyabb energiaigény mellett”. A Phone Arena megmérte, igazából mennyire döbbenetes teljesítményről is beszélünk.
Leginkább a prémium kivitelről, a mutatós fém-üveg borításról szól a fáma az MWC-n (Mobile World Congress) bemutatott új zászlóshajó kapcsán. Pedig akad itt néhány műszaki paraméter, amivel ezúttal igazán nagyot hajítottak a készülékkel. És most nem elcsépelt marketingfrázisokról van szó: az újdonsült belső memória sebessége ugyanis nem egyszerűen meghaladja a versenytársak teljesítményét, hanem túlszárnyalja azokét. Akinek kételyei támadnak a fogalmazás miatt, görgessen lejjebb az oldalon a Phone Arena oldaláról átvett diagramokhoz: az S6 és az S6 edge porba alázza a tesztben résztvevőket.
A Samsung az S6-ból kihagyta – az évek óta tartó sajnálatos divatnak megfelelően – a microSD kártyát, helyette azonban a legújabb, leggyorsabb belső tárhelyet pakolta a zászlóshajójába, 128 GB (!) méretben. Az UFS 2.0 NAND szabvány brutálisan nagyobb teljesítményt kínál, mint az okostelefonokban eddig alkalmazott eMMC memória.
Leegyszerűsítve arról van szó, hogy míg az eMMC vagy írja, vagy olvassa az adatokat, az UFS egy időben végzi a két feladatot. Gyorsabb olvasásban és írásban, szekvenciálisan és véletlenszerűen: nem torpan meg, ha egyszerre indítunk el két applikáció, nézünk videót, s a háttérben méretes videót töltünk le.
Az alábbi Androbench összehasonlítás mutatja, hová alázza az UFS 2.0 a tesztelteket. A benchmark készítésekor még nem tudták figyelembe venni a szintén új HTC One M9-et, de az eredmény nem kétséges, hiszen az M9 eMMC memóriát használ. (Ne feledjük, ez nem a valós felhasználás, hanem „csak” egy benchmark, ami modellezni próbálja a tényleges felhasználás során tapasztalhatót.)
